三星开发8层 HBM4E 满足英伟达要求

三星电子正在开发8层 HBM4E 产品，以满足英伟达的要求，拟用于定制高带宽存储器 NVHBM。该方案较原先准备的12层和16层产品减少堆叠层数，英伟达目标速度为17至18Gbps，较早期样品的14.4Gbps提高约20%。采用8层设计可降低晶圆减薄、精密堆叠及后端封装难度，减轻良率压力并提高供应能力。NVHBM 预计将从明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 开始应用，Rubin Ultra 的 GPU 互连规模将由现有72颗扩大至最多576颗，以更多高速 GPU 协同弥补单颗 GPU 存储容量下降。三星具备 DRAM、逻辑芯片及基础裸片的设计和生产能力，可为定制 HBM 提供一站式服务。业内人士认为，三星在 HBM4 上展示了较高传输速度，随着英伟达将竞争重点转向高速传输，其相关能力可能获得更多关注。

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